仪器型号：JSM-7900F（SEM）、FlatQuad 5060F（EDS）

主要技术指标： 

分辨率：0.6 nm @ 15 kV; 0.7 nm @ 1 kV 

放大倍数：10-50万倍 

加速电压：0.01 kV~30 kV 

束流强度：1 pA~500 nA 

样品台最大偏压：5 kV 

探测器：高位探测器（UED）、低位探测器（LED)、背散射电子探测器（RBED）、平插能谱仪探测器（EDS）

EDS晶体活区：四个独立的高速SDD芯片成环形，面积为60mm²

EDS能量分辨率：在100,000 CPS条件下Mn Ka保证优于129 eV

EDS最大输出计数率：1,600 kcps

主要用途： 

该设备具有极高的空间分辨率、高稳定性、自动功能精度高、可操作性强，主要对固体材料包括磁性和绝缘材料进行高空间分辨率形貌观察。JSM-7900F SEM—平插EDS的联用将物质的表面形貌—微区分析带入了新境界，可实现任何样品超高空间分辨率（0.6 nm）观察和分析、消除表面不平整样品的阴影效应，从而获得非凡的形貌及元素面分布图像。