仪器型号：IONTOF-Qtac¹⁰⁰

主要技术指标：

烘烤后基准真空度 < 5.0 x 10^-10 torr (< 6.7 x 10^-10 mbar)

散射离子枪离子种类：⁴He⁺,²⁰Ne⁺,⁴⁰Ar⁺

散射离子枪最小束斑尺寸（标准离子源）：< 15 μm (< 20μm for He)

能量分析器灵敏度(5 keV ²⁰Ne⁺散射纯Cu样品)：> 75,000 counts / nC

能量分析器检测限 (for Au)：< 100 ppm

表面元素检测限可达到0.001%单原子层（Li~O：≥1%单原子层；F~Cl：1%~0.05%单原子层：K~U：0.05%~0.001%单原子层）

主要功能及用途：

低能离子散射谱仪的特点是具备极表面分析能力。相较于其他常见的表面分析手段（如XPS、AES等），LEIS可以把检测深度缩小到单原子层厚度。配合深度剖析，可以实现从表面单原子层元素分布成像，到样品深度方向元素变化的表征。LEIS在催化、半导体和电化学等领域应用广泛，具体可用于催化剂表面组成、表面活性位、表面偏析、原子层沉积等方面的研究。此外，在中科院仪器功能开发项目支持下，中心研制的LEIS原位反应池系统，可实现样品在600 ℃以下、特定气氛中处理，真空下转移以获得样品表面真实信息。

联系人：赵建成